전자-MRAM에 대하여
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작성일 22-11-27 19:18본문
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즉 미세입상 합금박막의 자화과정은 비자성도체에 분산론 수 nm의 단자 구 …(skip)
레포트/공학기술
전자-MRAM에 대하여
자기저항의 개념(槪念)과 거대자기저항, 다중기억 자기저항 메모리 등에 대상으로하여 조사하였습니다.[전자]MRAM에대하여 , 전자-MRAM에 대하여공학기술레포트 ,
자기저항이란?
거대자기저항
다층박막 GMR 재료
미세입상 합금박막 및 불연속다층박막 GMR 재료
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)
스핀밸브 자기저항 메모리 ( Spin Valve Magnetoresistive RAM )
유사 스핀밸브 자기저항 메모리( Pseudo Spin Valve Magnetoresistive RAM )
다중기억 자기저항 메모리
MRAM의 개발
미세입상 합금박막 및 불연속다층박막 GMR 재료
미세입상 합금박막
상호고용이 되지 않는 계에서 석출된 nm크기의 단자구 자성입자의 자기모멘트가 무방향 배열된 초상자성(superparamagnet) 特性(특성)을 가진다 반강자성결합을 하는 자성/비자성 다층박막에서와 같이 주로 자성체 입자 계면에서 스핀 의존산란 efficacy에 기인하는 것으로 받아들여지고 있다
거대자기저항 현상을 나타내는 합금들은 Cu-Co, Ag-Co(Fe), Ag-Fe 및 Ag-FeNi 등이 연구되고 있다
상온에서 Cu-Co계에서는 최적 열처리시 약 12%, Ag-Co계에서는 증착된 상태에서 23%의 최대 GMR 비가 보고된 바 있다
Ag-Co계가 Cu-Co보다 유리한 점은 증착된 상태의 같은 조성에서 비저항이 1/5정도로 낮고 열처리하지 않고 증착된 상태에서 더 큰 GMR비를 얻을 수 있고 열처리를 하더라도 Cu-Co계 보다 낮은 온도에서 최적 조건을 얻을 수 있다
미세입상 합금박막은 박막 제조 공정이 다층박막보다 용이하다는 이점이 있으나 본질적으로 포화자계가 크다.
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[전자]MRAM에대하여
자기저항의 개념과 거대자기저항, 다중기억 자기저항 메모리 등에 대해서 조사하였습니다.